光衰效应也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为Steabler-Wronski效应。（细节因为太专业略过）20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。
最近《应用物理快报》的一篇论文提到，科研人员已经确认了溢流是光衰现象的罪魁祸首。该研究提供了第一个综合模型以揭示光衰背后发生的机理，也将会引导新技术去解决这个难题，伦斯勒理工学院E.Fred Schubert高级教授表示。“过去研究人员和lLED制造商在降低光衰方面取得过一些进展，但是有些进展的获得并不了解光衰原因。”
LED由三部分架构组成：带负电的n型晶体、带正电空穴的p型晶体，以及这两者之间的量子阱或有源区。
该研究的第一作者David Meyaard解释道，电子从n型材料注入到有源区，同时空穴从p型材料中注入到有源区。电子与空穴以相反方向移动，当它们在有源区相遇就会出现复合，复合过程中，电子移向更低能级，从而释放出光子。不幸的是，研究人员提醒说，随着电流的增加，LED光效会降低，随着电流的增加，其发出的光会相应减少。
Meyaard表示，他们团队的研究结果显示，在大电流状态下，产生于p型区的电场允许电子逃逸出有源区，从而无法实现与空穴复合，也就无法发光。这种现象叫做溢流，该说法是在5年以前就已经被提出了，但Meyaard表示，他们的团队的研究第一次无可争辩地证明了光束的发生机理。Meyaard表示，他们团队证实在足够强大的电场形成后，电子就逃逸出有源区。
“我们测量了电场形成与光衰直径的关联性，”Meyaard表示，“结果清晰证明其发生机理是电子溢流，同时我们还可以量化它。例如，在一个关键报告中，我们展示了大电流注入和光衰情况，从中可以看到它们之间良好关联性。而这在过去是不可能做到的，因为没有原理模型可以描述溢流如何发生作用。”
Schubert表示，他们的研究指出，由于电子移动性强于空穴，因此可以将二极管看做是由不同类型的载体组成的。
“如果电子和空穴有相似的特性，那么彼此对称；它们会在量子阱所在的中间区相遇，然后复合。我们使用电子比空穴移动性更强的材料系统来替代它，可以发现电子扩散更加容易，也更容易对电场有反应。由于这种不对称性，我们认为电子应该从量子阱穿过(shootover)或从量子阱萃取。那么它们就不会与空穴在有源区相遇，也就不会发光。”
Meyaard and Schubert称，基于这种模型，研究团队现在已经把注意力转向了开发新的LED架构上。
光衰的预防
据台湾专家介绍，目前台湾水族市场上中国制造的 LED 灯珠，平均年光衰为 5%，低功率 LED 灯珠的热效应差不多；而高功率（1 W 以上）的 LED 灯珠，灯具散热设计绝对影响寿命，若散热不良下，在两周内光衰可达 30%，且无法回复原亮度。那么怎样来预防LED的光衰呢？
1、选择优质的灯珠，国外大厂的灯珠质量要明显优于国内小厂的同类产品；
2、选择优质恒流电源，电源的散热设计也要优良；
3、灯珠及整个灯具都要有良好的散热措施；
4、尽量选择低功率灯珠，1W的灯珠可以考虑，但一定要做好散热工作。
